Analysis on Charged Effect in Scanning Electron Microscopy
摘 要
扫描电子显微镜要得到层次清晰、立体感强且分辨率高的高质量图像, 荷电效应是一个重要的影响因素。对在扫描电子显微镜成像中荷电效应的成因及其解决办法进行了系统的分析。提出采用镀膜、降低加速电压及低真空的方法, 可降低荷电效应的影响。
Abstract
Charged effect is an important influencing factor to get a clear, stereo, high resolution and high quality image by scanning electron microscopy (SEM). The causes and solutions for charged effect on imaging by SEM were analyzed. The methods including coating, acceleration voltage reducing, low vacuum were presented to reduce the charged effect.
中图分类号 TG115.21+5.3
所属栏目 试验设备及应用
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收稿日期 2013/5/7
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备注卢慧粉(1987-), 女, 助理工程师, 硕士。
引用该论文: LU Hui-fen,SONG Qing-jun,CAO Yan-fen,SUN Qiu-xiang. Analysis on Charged Effect in Scanning Electron Microscopy[J]. Physical Testing and Chemical Analysis part A:Physical Testing, 2014, 50(1): 46~48
卢慧粉,宋庆军,曹艳芬,孙秋香. 扫描电镜中荷电效应的分析[J]. 理化检验-物理分册, 2014, 50(1): 46~48
被引情况:
【1】廉晓洁, "电子显微分析仪器稳定运行的环境因素分析与对策",理化检验-物理分册 52, 868-874(2016)
【2】高艳,曾晓丹,马明硕,王建刚, "利用扫描电镜/能谱仪检测烟火药及其爆炸残留物",理化检验-物理分册 50, 803-808(2014)
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参考文献
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【4】唐晓山, 屈菊兰.常见扫描电子显微镜图像的缺陷和解决方法[J].湛江师范学院学报, 2005, 26(3): 123-125.
【5】焦汇胜.扫描电镜能谱仪及波谱仪分析技术[M]. 长春: 东北师范大学出版社, 2011:162-165.
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