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RF溅射稀土(La,Nd)掺杂ZnO薄膜的结构
          
RESEARCH OF STRUCTURAL PROPERTIES OF RE-DOPED ZnO THIN FILMS GROWN BY RF MAGNETRON SPUTTERING

摘    要
通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和镧、钕掺杂ZnO薄膜。XRD分析表明,ZnO薄膜具有c轴择优生长,镧、钕掺杂ZnO薄膜为自由生长的纳米多晶薄膜。用AFM观测薄膜的表面形貌,镧、钕掺杂ZnO薄膜表面形貌粗糙。
标    签 稀土掺杂   ZnO薄膜   X射线衍射分析   原子力显微镜   射频磁控溅射   RE-doped   ZnO thin film   XRD   AFM   RF magnetron sputtering  
 
Abstract
The ZnO thin film and rare earth (RE=La,Nd) doped ZnO thin films were deposited on Si(111) substrate by RF magnetron sputtering and annealed at 400℃ under air. As analyzed by XRD,ZnO thin films with high c-axis orientation growth was realized,RE-doped ZnO thin films were nano-multi-crystal thin films with free growth. The rough surface morphology of RE-doped ZnO thin films were observed by AFM.

中图分类号 O484 TN304

 
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所属栏目 试验与研究

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收稿日期 2007/9/24

修改稿日期

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备注文 军(1962-),男,硕士。

引用该论文: WEN Jun,CHEN Chang-le,PAN Feng. RESEARCH OF STRUCTURAL PROPERTIES OF RE-DOPED ZnO THIN FILMS GROWN BY RF MAGNETRON SPUTTERING[J]. Physical Testing and Chemical Analysis part A:Physical Testing, 2008, 44(4): 172~174
文 军,陈长乐,潘 峰. RF溅射稀土(La,Nd)掺杂ZnO薄膜的结构[J]. 理化检验-物理分册, 2008, 44(4): 172~174


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参考文献
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