氮化硅νSi-N伸缩振动的衰减全反射红外光谱研究
Study on the Stretching Vibration of Silicon Nitride (Si-N) Molecule by ATR-FTIRS
摘 要
采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱法(ATR-FTIR),在313~393 K温度范围内,分别研究了α-氮化硅和β-氮化硅分子结构的红外一维光谱、红外二阶导数光谱和红外四阶导数光谱,并针对氮化硅Si-N伸缩振动,利用二维相关红外光谱考察了温度变化对氮化硅分子结构的影响。结果表明:在波数950~850 cm-1范围内,氮化硅主要存在着Si-N伸缩振动模式(νSi-N)。随着测定温度的升高,α-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为874 cm-1>886 cm-1>880 cm-1,而β-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为876 cm-1>880 cm-1>890 cm-1。
α-氮化硅
β-氮化硅
热变性
Two-dimensional IR spectrogram
α-Silicon nitride
β-Silicon nitride
Thermal denaturation
Abstract
A study on the molecular structures of α-silicon nitride and β-silicon nitride based on their one-dimensional IR-, 2nd derivative IR- and 4th derivative IR-spectrograms obtained by ATR-FTIRS in the temperature range of 313-393 K was made, and special attention was paid on the stretching vibration of silicon nitride molecule, and on the influence of change in temperature on the molecular structure of silicon nitride by using the two-dimensional IR-spectrograms. It was shown that stretching vibration of Si-N (νSi-N) was found mainly in the wavenumbers ranged from 950 cm-1 to 850 cm-1. With the raise of temperatures, intensity of IR-absorption of α-silicon nitride (νSi-N) changed in the order of 874 cm-1>886 cm-1>880 cm-1, while for β-silicon nitride, the order of change in IR-absorption intensity happened to be 876 cm-1>880 cm-1>890 cm-1.
中图分类号 O434.3 DOI 10.11973/lhjy-hx201611001
所属栏目 试验与研究
基金项目 河北省高等学校科学技术研究项目(Z2014112);石家庄市科技计划课题(141071271A)
收稿日期 2015/11/23
修改稿日期
网络出版日期
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联系人作者于宏伟(yhw0411@163.com)
备注王维(1981-),女,黑龙江齐齐哈尔人,讲师,工学硕士,主要从事包装材料的教学与科研工作。
引用该论文: WANG Wei,SUI Li-li,LI Zhong-qiu,LI Yong,YU Hong-wei. Study on the Stretching Vibration of Silicon Nitride (Si-N) Molecule by ATR-FTIRS[J]. Physical Testing and Chemical Analysis part B:Chemical Analysis, 2016, 52(11): 1241～1245
王维,隋丽丽,李中秋,李永,于宏伟. 氮化硅νSi-N伸缩振动的衰减全反射红外光谱研究[J]. 理化检验－化学分册, 2016, 52(11): 1241～1245
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