%0 Journal Article
%T 0.13BZT-<i>x</i>BS-(0.87-<i>x</i>) PT压电陶瓷的电学性能及其温度稳定性
%O Electrical Properties and Their Temperature Stability of 0.13BZT-<i>x</i>BS-(0.87-<i>x</i>)PT Piezoelectric Ceramics
%A 张明志
%A 王一平
%A 钱派
%A 胡悫睿
%A 王加康
%A 杨颖
%J 机械工程材料
%@ 1000-3738
%V 47
%N 9
%D 2023
%P 14-18
%K BZT-BS-PT陶瓷;微观结构;电学性能;温度稳定性
%X 采用固相反应法制备了0.13Bi （Zn<sub>1/2</sub>Ti<sub>1/2</sub>） O<sub>3</sub>-<i>x</i>BiScO<sub>3</sub>-（0.87-<i>x</i>） PbTiO<sub>3</sub>[0.13BZT-<i>x</i>BS-（0.87-<i>x</i>） PT] （0.28≤<i>x</i>≤0.36）压电陶瓷，研究了陶瓷的微观结构、电学性能及其温度稳定性。结果表明：随着<i>x</i>的增大，陶瓷由四方相转变为三方相结构，当<i>x不低于</i>0.34时，出现了Bi<sub>38</sub>ZnO<sub>60</sub>析出相；随着<i>x的增大，陶瓷的</i>剩余极化强度<i>P</i><sub>r</sub>、压电常数<i>d</i><sub>33</sub>、机电耦合系数<i>k</i><sub>p</sub>和相对介电常数<i>ε</i><sub>r</sub>均先增大后减小，居里温度<i>T</i><sub>c</sub>降低，当<i>x</i>为0.32时，陶瓷的综合电学性能最优，<i>P</i><sub>r</sub>，<i>d</i><sub>33</sub>，<i>k</i><sub>p</sub>，<i>ε</i><sub>r</sub>最大，分别为31.5 μC·cm<sup>-2</sup>，283 pC·N<sup>-1</sup>，0.37，1 840，<i>T</i><sub>c</sub>较高，为380℃。在室温至300℃的温度范围，当<i>x</i>为0.32时，<i>d</i><sub>33</sub>随温度的变化率几乎为0，此时陶瓷的压电性能对温度不敏感，具有良好的温度稳定性。
%R 10.11973/jxgccl202309003
%U http://www.mat-test.com/abstract.htm?aid=OJ231008000005eKhNkQ
%W 材料与测试网
%1 JIS Version 3.0.0