%0 Journal Article
%T 闪速烧结法制备SiOC陶瓷及其热稳定性能
%O Preparation and Thermal Stability of SiOC Ceramics by Flash Sintering
%A 王力霞
%J 机械工程材料
%@ 1000-3738
%V 47
%N 11
%D 2023
%P 25-29
%K SiOC陶瓷;外加电场;闪速烧结;低温热解;聚硅氧烷
%X 以交联后的聚硅氧烷为前驱体，在不同温度（730~780℃）、外加电场强度（20~60 V&#183;mm<sup>-1</sup>）和限流电流（0.5~2.0 A）下采用闪速烧结技术制备SiOC陶瓷，获得合适的工艺参数，并研究了陶瓷的微观结构、物理性能和热稳定性能。结果表明：成功制备SiOC陶瓷的温度范围为740~780℃，限流电流范围为1.0~2.0 A，外加电场强度范围为30~60 V&#183;mm<sup>-1</sup>，试验温度比1 400℃传统热解温度低660~620℃，热解时间大大缩短。随着外加电场强度、试验温度或限流电流的增加，陶瓷中SiC含量增加，SiO<sub>2</sub>含量减少，陶瓷产率和体积密度降低，线变化率和显气孔率增大；与1 400℃传统热解SiOC陶瓷相比，闪速烧结SiOC陶瓷的热稳定性温度提高了约112℃，且随着外加电场强度、试验温度或限流电流的增加，热稳定性提高。
%R 10.11973/jxgccl202311005
%U http://www.mat-test.com/abstract.htm?aid=OJ2311280000277C9FbI
%W 材料与测试网
%1 JIS Version 3.0.0