高纯硅中痕量元素分析方法研究进展
Progress of Researches of Methods for Determination of Trace Elements in High-Purity Silicon
摘 要
综述了从1980-2012年间测定高纯硅中痕量元素分析方法的研究进展。高纯硅中痕量元素的主要分析方法包括红外光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法、极谱法、离子探针与离子色谱法、二次离子质谱法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法等;并对高纯硅中痕量元素的分析方法进行了展望(引用文献59篇)。
痕量元素
综述
High-purity silicon
Trace elements
Review
Abstract
A review of the methods of determination of trace elements in high-purity silicon, including IRS, AES, AAS, XRF, polarography, ion probe analysis, IC, SIMS, GDMS and ICP-MS, reported mainly in the years from 1980 to 2012, was presented in this paper. Trends of study and development in this field were also outlined (59 ref. cited).
中图分类号 O657.3
所属栏目 综述
基金项目 国家自然科学基金(211102157);中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目(Y27YQ1110G);中国科学院上海硅酸盐研究所创新项目(O97ZC1110G)
收稿日期 2012/6/13
修改稿日期
网络出版日期
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备注刘洁(1987-),女,湖北黄冈人,硕士研究生,主要从事辉光放电质谱分析。
引用该论文: LIU Jie,QIAN Rong,ZHUO Shang-jun,HE Pin-gang. Progress of Researches of Methods for Determination of Trace Elements in High-Purity Silicon[J]. Physical Testing and Chemical Analysis part B:Chemical Analysis, 2013, 49(1): 121～127
刘洁,钱荣,卓尚军,何品刚. 高纯硅中痕量元素分析方法研究进展[J]. 理化检验－化学分册, 2013, 49(1): 121～127
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