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关于金属磁记忆检测中背景磁场抑制的讨论
          
Discussion on Background Magnetic Field Control in Metal Magnetic Memory Testing

摘    要
通过具体试验,对当前金属磁记忆检测中普遍采用的利用通道补偿的背景磁场抑制方法进行了验证。结果发现通道补偿法并不能真正去除背景磁场对金属磁记忆检测的影响;同时,进一步对背景磁场对金属磁记忆检测的影响进行了分析,指出了相关的影响因素,并提出利用有限元分析消除背景磁场对金属磁记忆检测的影响的方法。
标    签 金属磁记忆检测   背景磁场   通道补偿法   Metal magnetic memory testing   Background magnetic field   Channel-compensated method  
 
Abstract
Investigations were made on the channel-compensated method of background magnetic field control, which was widely used in metal magnetic memory testing. Experimental results showed that the method did not eliminate the influence of background magnetic field. Moreover, the related influence factors were pointed out based on the above analysis, and a finite element analysis method for background magnetic field control in metal magnetic memory testing was put forward.

中图分类号 TG115.28

 
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所属栏目 试验研究

基金项目 国家自然科学基金项目(50505052)

收稿日期 2006/4/3

修改稿日期

网络出版日期

作者单位点击查看

备注王 丹(1977-),男,博士研究生,主要从事金属磁记忆检测方面的研究工作。

引用该论文: WANG Dan,XU Bin-shi,DONG Shi-yun,DONG Li-hong. Discussion on Background Magnetic Field Control in Metal Magnetic Memory Testing[J]. Nondestructive Testing, 2007, 29(2): 71~73
王 丹,徐滨士,董世运,董丽虹. 关于金属磁记忆检测中背景磁场抑制的讨论[J]. 无损检测, 2007, 29(2): 71~73


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参考文献
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