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基于磁畴聚合模型的磁记忆效应机理研究
          
Study on the Mechanism of Magnetic Memory Effect Based on Polymerization Model of Magnetic Domain

摘    要
研究了铁磁构件在受载时产生磁记忆效应的机理。结合试件的断裂机制和位错理论,分析了试件组织的微观变化。建立畴壁聚合模型,探讨了构件形成的有取向的宏观磁化。在应力集中区域或微观损伤区域建立带磁偶极子模型,计算试件表面的泄漏磁场。结果表明,畴壁聚合模型可以解释应力集中区域或微观损伤区域的磁场变化。
标    签 磁记忆检测   磁畴聚合模型   基础理论分析   Magnetic memory testing   Polymerization model of magnetic domain   Basic theory analysis  
 
Abstract
The mechanism of magnetic memory effect on ferromagnetic material under loading was studied. By fracture mechanism and dislocation theory, the polymerization model of magnetic domain wall was presented on the basis of the analysis of microstructure changes. The oriented magnetization of specimen was viewed also, and then the magnetic flux leakage of specimen in the stress concentration area or microstructure damage area through magnetic dipole model was calculated. Results showed that, magnetic changes in the stress concentration area or microstructure damage area could be explained by polymerization model of magnetic domain wall.

中图分类号 TG115.28

 
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所属栏目 科研成果与学术交流

基金项目 江西省教育厅重点项目(赣教技字05-312号);无损检测技术重点实验室开放基金资助项目(ZD200629001);江西省教育厅科技项目(赣教技字[2006]172号)

收稿日期 2006/12/22

修改稿日期

网络出版日期

作者单位点击查看

备注宋 凯(1975-),男,硕士,讲师,从事电磁无损检测研究工作。

引用该论文: SONG Kai,REN Ji-lin,REN Shang-kun,TANG Ji-hong. Study on the Mechanism of Magnetic Memory Effect Based on Polymerization Model of Magnetic Domain[J]. Nondestructive Testing, 2007, 29(6): 312~314
宋 凯,任吉林,任尚坤,唐继红. 基于磁畴聚合模型的磁记忆效应机理研究[J]. 无损检测, 2007, 29(6): 312~314


被引情况:


【1】李龙军,王晓锋,杨宾峰,张辉,崔文岩, "铁磁构件金属磁记忆效应仿真与试验",无损检测 34, 37-40(2012)

【2】徐明秀,徐敏强, "旋转弯曲疲劳件的法向磁信号分布",无损检测 31, 606-609(2009)

【3】李建伟,徐敏强,冷建成,徐明秀, "Q235钢缺陷试件不同状态下的磁记忆特征",无损检测 32, 238-241(2010)

【4】任吉林,林俊明,任文坚,宋凯, "金属磁记忆检测技术研究现状与发展前景",无损检测 34, 3-10(2012)



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参考文献
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