处于“关”状态下的漏电是导致诸如智能手机和笔记本电脑等便携式电子设备电池损耗的原因之一。CMOS电路系统的泄漏随着技术的降低而显著增加，并且已经成为高性能纳米电子学系统中的关键问题。因此，开发出在空闲/关闭状态下零功率的设备已成为当务之急。【注COMS：互补金属氧化物半导体的缩写，是电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元】

这一问题的解决方法可能通过纳米机电开关（NEM）来实现。在栅极电极的影响（偏置）下，它自带的机械臂可以垂直或水平移动与漏极接触将设备“打开”。

这些设备的一个重要特点是，当处于“关”的状态下时其处于物理隔离状态因而不漏电。

过去，美国国防部已经将数百万美元的项目集中在计算机纳米机电开关（NEM）的研发上。主要参与者包括斯坦福大学、加利福尼亚—伯克利大学和私营企业。这些项目在建筑、物理、材料和加工等方面取得了显著的进展。

但是，他们也发现，当电压低于1伏时，即使采用精密的设计结构和安装材料，在动态操作和较快转换的条件下运行也是极其困难的。这需要使用非常昂贵的光刻系统制成纳米级自由悬挂开关。

现在，沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）的一支团队里，Muhammad Mustafa Hussain副教授与其博士生Abdulilah Mustafa和AftabHu，已成功地运用非晶态金属氮化钨证实了在低于1伏电压下纳米机电开关的可行性。

他们的研究（“基于氮化钨–非晶态金属材料的三端纳机电开关”）报道在2015年12月4日 Nanotechnology的在线版上。

一般来说，金属是多晶态，并且具有一定的硬度。他们的纳米图案往往会形成粗糙的表面，最终导致在非均匀的维度影响开关的性能。

我们现在已经成功地开发出了一种简单且低成本的非晶态金属，不仅集成良好，而且可定制材料特性，可用于高容量制造。

Hussain和他的团队使用非晶态金属的纳米机电开关保持了结构的完整性并优化了其性能，展示了一种新的三端纳米机电开关，即低压开关为0.8伏吸合电压，这是报道过的纳米机电开关中电压最低的开关。

KAUST团队进一步指出，他们的新型纳米机电开关现阶段正在研究并行数据处理（即一次输入控制多次转换）和混合集成CMOS电路。


来源：材料人网