Page 66 - 电力与能源2021年第六期

第 42 卷第 6 期
电力与能源
6 7 4 2021 年 12 月

DOI : 10.11973 / dl y n y 202106015

变电运维中电压致热型缺陷的红外测温方法分析

郑学斌, 刘 玥, 屠聪为

( 国网上海市电力公司检修公司, 上海 200063 )

摘 要: 变电站站内对电压致热型设备的温度监控对电网的安全运行起到重要作用。通过分析一个穿墙套
管末屏的电压致热型缺陷情况, 引出变电运维中的红外测温技术及其优点, 并针对现阶段运维工作中红外测
温的方法进行了总结, 提出了相应的运维建议与思考。
关键词: 电压制热型; 红外测温; 变电运维
作者简介: 郑学斌( 1993 —), 男, 助理工程师, 从事变电站运维工作。
中图分类号: TM75 文献标志码: A 文章编号: 2095-1256 ( 2021 ) 06-0674-03

InfraredTem p eratureMeasurementMethodforVolta g e-inducedThermalDefects
inTransformerO p erationandMaintenance

ZHENGXuebin , LIU Yue , TUCon g wei
( StateGridIns p ection & MaintenanceCom p an y , SMEPC , Shan g hai200063 , China )
Abstract : Thetem p eraturemonitorin gofe q ui p mentheatin g causedb y volta g einsubstationp la y sanim p ortant
roleinthesafeo p erationof p ower g rid.Theinfraredtem p eraturemeasurementtechnolo gy anditsadvanta g es
insubstationo p erationandmaintenanceareintroducedb yanal y zin gthevolta g e-inducedthermaldefectofthe
endscreenofawall p enetratin gcasin g .Theinfraredtem p eraturemeasurementmethodsincurrento p eration
andmaintenanceworkaresummarizedandcorres p ondin go p erationsu gg estionsandthou g htsarep ro p osed.
Ke ywords : volta g eheatin g t yp e , infraredtem p eraturemeasurement , substationo p erations

电压致热型设备通常指套管、 避雷器、 电压互 检查发现, 发热位置为 C 相末屏。
感器、 耦合电容器等。这些设备往往由于内部缺 穿墙套管的额定电流大于主 变 压 器 额 定 电
陷( 如介损增大、 局部放电等), 或者外部缺陷( 如 流, 导电体直径是能满足载流量要求的, 一般情况
裂纹导致防水破坏、 瓷介质表面污秽等) 导致电压 下不应出现局部发热现象。电压致热性故障是由
分布异常, 泄漏电流增大产生故障。这类设备致 于内部绝缘装置的异常、 电压的不正常分布、 电流
热效应主要是由电压引起, 与负荷电流无关。红 的泄漏等原因造成的。在故障早期阶段, 如果使
外测温是诊断设备缺陷的重要手段, 具有普查效 用传统的检测技术是很难被发现的。如果发现温

率高、 检测灵 敏可靠、 不停电、 安 全 性 好 等 优 点。 差的数值高于总数值的 30% , 则意味着设备存在
与传统的预防性试验相比, 红外测温更能有效地 着巨大的缺陷或安全隐患。运维人员应引起注
检测出与运行电压、 负荷电流有关的设备缺陷, 为 意, 考虑是否为电压致热型问题。
设备的前期隐患预警、 设备故障及状态检修提供 根据红 外 热 像 及 DL / T664 — 2016 《 带 电 设
有利的科学依据 [ 1 ] 。 备红外诊断应用规范》 得出, 该穿墙套管 C 相存
在电压致热型缺陷。
1 穿墙套管电压致热型缺陷 根据相对温差计算公式 [ 2-3 ] , 计算两个对应测

点之间的温度与 其中较热点的温升之比的百分
运维人员在对220kV 某站1 号主变110kV
穿墙套管进行红外测温时, 发现 C 相末屏存在异 数, 即
常热点, 温度为 16.4℃ , 比 A 相末屏相同位置处 τ 1 - τ 2 T 1 -T 2
δ 1 = ×100% = ( 1 )
高出 4.7℃ , 比 B 相末屏相同位置处高出 2.8℃ 。 τ 1 T 1 -T 0
, ———发热点、 正常相对应点的温升;
式中 τ 1 τ 2