Page 45 - 电力与能源2024年第五期
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吴   立,等:双脉冲测试参数设计与四开关 Buck-Boost DC-DC 变换器效率评估                          577

                并选取最小值为 L。若 L τ1,max < L τ2,min,则返回第                 在已搭建完成的双脉冲测试硬件试验平台的
                三步,减小 τ 2 的预设值,直到确定 L 为止,若 τ 2 减小                基础上,进行了单管双脉冲试验。SiC-MOSFET
                到 τ 2,min 还未确定 L,则返回第二步增大 τ 1,max 的预             单管双脉冲试验结果如图 4 所示。
                设值。
                    第五步,根据下式确定 τ 3 的值,最后按照式

               (9)计算 C Bus。
                                                       (13)
                               τ 3,min≤τ 3≤0. 5τ 1
                3 试验验证
                                                                        图 4 SiC-MOSFET 单管双脉冲试验结果
                3.1 试验平台的搭建
                                                                     经过式(4),式(8),式(10)和式(14)的推导计
                    Buck-Boost 双向 DC-DC 变换器硬件测试平
                                                                 算可知,以 TMS320F28335 为核心的主控板输出
                台如图 3 所示,右上角所示的 DC-DC 变换器由两
                                                                 脉冲宽度分别为 12 μs 和 5 μs、间隔时间为 4 μs 的
                个 Buck-Boost 并联而成。
                                                                 脉冲信号。脉冲信号经过信号驱动板后传递给主
                                                                 功率板进行双脉冲测试。

                                                                     由试验波形可以看出,在 t 0 时刻,DSP 发出第
                                                                 一个脉冲信号,开关管饱和导通,电感电流线性上
                                                                    t
                                                                 升; 1 时刻,第一个脉冲信号结束,电感电流由上管
                                                                                                         t
                                                                 的二极管续流,此电流非常小,几乎检测不到; 2 时
                                                                 刻,第二个脉冲的上升沿到达,被测开关管再次导

                                                                 通,续流二极管进入反向恢复,反向恢复电流穿过
                                                                                                      t
                                                                 开关管,电流探头上可以捕捉到这个电流; 3 时刻,
                       图 3 基于四开关 Buck-Boost 双向变换器的
                                                                 开关管断开,由于母线杂散电感的存在,电压出现
                             双脉冲测试硬件试验平台
                                                                 尖峰。经过计算, 脉冲的冲击约占电压的 80%,
                    为了测试 SiC-MOSFET 单管和双管并联的                     在正常范围内。
                开关损耗,功率板上一个变换器中的开关管由一
                                                                     SiC-MOSFET 双 管 双 脉 冲 试 验 结 果 如 图 5
                个 SiC-MOSFET 构成,如图 3 中标注 3 的椭圆所                  所示。主控板输出的 PWM 信号经过信号驱动板
                示,另一变换器中的开关管由两个 SiC-MOSFET
                                                                 后传递给主功率板,进行双管双脉冲测试。由图 5
                并联构成,如图 3 中标注 4 的椭圆所示。整个控制
                                                                 可以看出:两个开关管的电流基本实现重合;随着
                系统以 TMS320F28335 为核心。图 3 右下角所示
                                                                 脉冲时间的延长,电感电流偏差逐渐减小。
                电路为四开关 Buck-Boost 变换器拓扑结构,其两
                端完全对称,通过调整占空比可实现功率的双向
                流动,详细控制方法见文献[13],在此不再赘述。
                3.2 参数设计与试验测试
                    通过前述公式,在指定电压 U set 为 80 V,指定
                电流 I set 为 4 A,电流下降率 K i 为 1.5%,电压下降

                比例 K v 为 1%,负载电感的寄生电阻 R es( L ) 为 0.1~                图 5 SiC-MOSFET 双管并联双脉冲试验结果
                0.2 Ω 的条件下,计算出双脉冲测试参数应该为:                        3.3 损耗计算
                τ 1=15 μs,τ 2=4 μs,τ 3=5 μs,L=147 μH, C Bus=         为了获得不同工作模式下 SiC-MOSFET 的
                21 μF。                                           开 关 损 耗 ,本 文 对 单 管 和 双 管 并 联 模 式 下 SiC-
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